삼성전자, 차세대 HBM4 내년 말 대규모 양산 시작
삼성전자가 차세대 HBM4 메모리를 2024년 4분기 설계에서 제조로 전환하는 ‘테이프아웃’에 이어 2025년 4분기부터 대규모 양산을 시작한다.
HBM4는 엔비디아의 차세대 ‘루빈 R100’ AI GPU에 먼저 탑재될 예정이다.
업계에 따르면 삼성전자는 최근 빠르면 올 11월께 차세대 HBM4 메모리를 테이프아웃하고 2025년 말부터 HBM4을 양산한다는 계획을 공급업체에 통보했다.
AI 수요 폭발로 HBM 메모리 수요도 급증하고 있으며, HBM SK 하이닉스, 삼성전자, 마이크론 등 HBM 제조 3사가 시장 선점을 위해 치열한 경쟁을 벌이고 있다.
SK하이닉스는 2024년과 2025년 HBM3와 HBM3E를 양산하는데 이어 2025년 HBM4 상반기 대량생산을 시작한다는 계획이다.
삼성전자도 최근 HBM4 생산을 위한 예비 작업을 시작했으며, 2024년 4분기에 테이프아웃과 함께 엔비디아와 AMD를 대상으로 HBM4 메모리 샘플링을 곧 시작할 예정이다.
삼성은 자체 4nm 공정 노드를 사용, 차세대 HBM4 메모리용 로직 다이를 제조할 계획인 것으로 알려졌다.
현재 삼성과 SK하이닉스, 마이크론 모두 최신 HBM3E 메모리에 로직 다이를 사용, HBM을 만들고 있다.
하지만 새로운 HBM4 메모리는 엔비디아, AMD, 인텔 등 AI 반도체 제조업체가 요구하는 맞춤형 기능을 갖춘 파운드리 공정으로 제조될 예정이다.
새로운 4nm 공정 노드는 삼성전자의 시그니처 칩 파운드리 제조 공정으로, 수율이 70%가 넘는 것으로 알려져 있으며, 삼성의 새로운 갤럭시 S24 제품군 AI 스마트폰에 탑재되는 새로운 엑시노스 2400 칩셋에 4나노 공정을 사용하고 있다.
한편, 엔비디아는 초고속 HBM4 메모리를 사용하는 차세대 루빈 R100 AI GPU를 2025년 4분기에 시장에 출시할 예정이다.
