TSMC가 미국 시간으로 4/26, 캘리포니아의 산타클라라에서 열린 북미 기술 심포지엄에서 최신 기술 개발을 선보였습니다.
3나노 개선버전 N3E, 올해 하반기 양산 시작
EUV Layer는 25→19개, 오히려 감소
차량용 3나노 공정 공개, N3AE
GAAFET → CFET → CNT ?
3나노 2세대 공정인 N3E가 올해 하반기부터 양산됩니다. 첫 제품이었던 N3에 비해 EUV Layer가 25→19로 감소되었다고 합니다.
아이폰 14 Pro 모델은 5나노 공정을 사용한 A16 Bionic 칩을 사용했는데요, N3E 양산시점 상 아이폰 15 Pro 모델은 3나노 공정을 사용할 것으로 전망되고 있습니다.
자동차 제조사들이 최신 반도체 공정을 활용한 어플리케이션을 설계할 수 있도록, Automotive용 3나노 N3AE를 공개했습니다. 25년에는 완전히 인증된 N3A를 양산하게 됩니다.
3나노까지는 FinFET으로 대응하고, 2나노부터는 GAA (Gate All Around) 구조로 Nanosheet를 사용합니다. 올해 하반기 양산될 N3E 대비해서, 전력소모는 무려 37.2% 감소, 성능(Speed)은 16.4% 개선된다고 합니다.
2나노에서 GAA 공정을 도입한 후에는, NMOS와 PMOS를 수직으로 쌓아올린 CFET (Complimentary FETs) 공정을 적용을 검토하고 있습니다.
이후에는 실리콘이 아닌 CNT (Carbon Nano Tube) 등의 2차원 물질의 연구가 진행되고 있다고 합니다.
압도적인 기술력으로 50%에 육박하는 영업이익율을 보이고 있는 TSMC 입니다. 현 시점에서는, 지정학적 리스크를 제외하면 사실상 약점이 없어보입니다. 앞으로의 행보가 더욱 더 기대됩니다.