"차세대 HBM4 양산 누가 가장 빠르나?"
SK하이닉스는 오는 10월까지 HBM4 메모리의 테이프 아웃을 목표로 개발을 가속화고 있다.SK 하이닉스와 삼성전자가 차세대 HBM4 메모리 반도체 양산 시점을 놓고 치열한 속도 경쟁을 벌이고 있다.
양 사는 10월과 11월에 기본 설계를 마무리하고 양산 단계로 넘어가는 ‘테이프 아웃’(Tape Out)을 목표로 하고 있다.
'테이프 아웃‘은 반도체 설계의 마지막 단계로, 완전한 기능을 갖춘 메모리를 말한다.
특히, HBM3와 HBM3E의 엔비디아 납품에서 SK 하이닉스에 뒤처진 삼성은 HBM4에서 자존심 회복을 벼르고 있다.
업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 10월까지 HBM4 메모리의 테이프 아웃을 목표로 개발을 가속화고 있다.
소식통에 따르면 SK 하이닉스는 엔비디아와 함께 AMD AI 반도체용 HBM4 ‘테이프 아웃’도 준비해 왔지만 양 사의 일정을 맞추기에는 역부족, AMD용은 내년 상반기로 테이프 아웃 일정을 연기한 것으로 전해졌다.
SK 하이닉스의 6세대 HBM 메모리인 HBM4는 설계가 거의 완성 단계에 와 있으며, 10월 중에는 양산 단계로 넘겨질 예정이다. 설계가 완료된 후 HBM 메모리는 제조용으로 보내기 전에 검증 및 테스트작업이 이루어진다.
SK하이닉스는 엔비디아에 AI용 HBM 메모리의 핵심 공급업체로 올 초부터 5세대 HBM3E를 공급해 오고 있다.
HBM4는 HBM3E에 비해 두 배의 채널 폭, 즉 2,048비트 대 1,024비트를 제공, 훨씬 빠른 데이터 전송과 높은 성능을 제공한다.
HBM3E는 12개의 D램 다이를 적층, 24GB 및 32GB 레이어를 지원하는 반면, HBM4는 16개의 D램 다이를 스태킹할 수 있어 64GB를 지원한다.
SK하이닉스는 자사의 HBM4가 기존 HBM3E보다 20배에서 30배 더 높은 성능을 제공할 것이라고 밝히고 있다.
삼성전자도 최근 6세대 HBM4 메모리를 오는 10월에 테이프 아웃한다는 계획을 세운 것으로 알려졌다.
삼성전자는 올해 4분기 테이프 아웃, 2025년 말 HBM4를 양산한다는 계획을 세워 놓고 있다. 양사 모두 엔비디아의 루빈(Rubin) 기반 최신형 AI 칩에 HBM4를 공급한다는 게 목표다.
삼성전자는 올 11월께 차세대 HBM4 메모리를 테이프 아웃하고 2025년 말부터 HBM4을 양산한다는 계획을 공급업체에 통보했다.
현재의 일정대로라면 양 사는 비슷한 시기에 테이프 아웃하지만 SK하이닉스가 2025년 상반기, 삼성이 하반기에 양산이 가능할 것으로 보여 SK하이닉스가 HBM3E에 이어 HBM4도 삼성을 몇 개월 앞설 가능성이 커 보인다.
