SK하이닉스, “HBM(고대역폭메모리) 벼락 상공 아니
"HBM(고대역폭 메모리) 성공 비결은 우리만의 압도적 기술력 때문이다.” SK하이닉스 HBM설계 담당 박명재 부사장은 일각에서 SK하이닉스 HBM을 두고 ‘벼락 성공’으로 보는 시각도 있다며 이렇게 말했다.
SK하이닉스 HBM설계 담당 박명재부사장SK하이닉스는 지난 3월부터 최고 성능 HBM3E를 양산을 시작했으며, 차세대 제품인 HBM4의 양산도 2025년으로 앞당기면서 세계 최고의 AI 메모리 공급업체로서의 입지를 다지고 있다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직관통전극(TSV)으로 연결해 고대역폭을 구현, 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품으로 고 난이도의 기술력을 요구한다.
박부사장은 “HBM이 본격적으로 세상에 알려지기 시작한 것은 생성형 AI가 기술 업계 판도를 흔들기 시작한 2~3년 전부터로, SK하이닉스가 세계 최고 HBM 공급업체로 부상한 데 대해 ‘벼락 성공’으로 보는 시각도 있지만 SK하이닉스가 세계 정상에 오른 배경에는 최고 기술진이 15년 이상 HBM 연구개발에 집중해 온 결과”라고 말했다.
SK하이닉스는 2009년 고성능 메모리를 개발하기 위해 TSV 기술 연구를 시작했고, 4년간의 개발기간을 거쳐 2013년 12월 세계 최초로 TSV 기반의 1세대 HBM을 내놨다.
하지만 2010년대에는 필요 이상으로 속도가 빠르고 용량이 큰 HBM을 받아들일 만큼 컴퓨팅 시장이 성숙하지 못해 2세대 제품인 HBM2 개발에 어려움을 겪었다.
SK하이닉스는 고객과 시장이 요구하는 것보다 월등히 높은 성능을 확보한 HBM2E 개발에 성공했고, 2020년대 초 3세대 HBM3를 내 놓으면서 HBM 부문에서 독보적인 선두업체로 부상했다.
SK 하이닉스는 세계 최고 용량의 12단 HBM3를 개발한 지 4개월 만인 2023년 8월 HBM3E를 공개하며 신제품 출시 기간을 획기적으로 단축시켰다.
박부사장은 “2022년부터 AI 기업 간 대화형 AI 경쟁에 불이 붙으면서 HBM을 개발하는데 속도를 낼 수밖에 없는 상황이었고 SK하이닉스는 설계 검증의 혁신을 거듭하면서 제품 설계 완성도를 높였으며 올해 3월, HBM3E 양산에 이어 고객에게 가장 먼저 제품을 공급할 수 있게 됐다”고 설명했다.
그는 SK 하이닉스는 HBM 2세대를 제외하고는 줄곧 1등으로서 후발 주자를 따돌리기 위해 노력해 왔다. 특히 세대마다 성능은 50% 높이면서 전력 소모는 기존 수준을 유지하고자 노력했으며, 개발과 양산에 문제가 생기면 이 분야 전문성을 가진 조직들이 적극적으로 협력했다며 이런 협업 시스템 덕분에 세계 최고 성능의 HBM3E가 나올 수 있었다고 말했다.
박부사장은 “SK하이닉스는 고유의 MR-MUF 기술로 고성능으로 인한 발열을 가장 안정적으로 줄여 세계 최고 성능 구현하면서 고성능 품질의 제품을 대량 생산하는 능력도 빠르게 갖춰 마이크론 등 경쟁사를 압도할 수 있었다고 밝혔다.
그는 ”얼마 전 경쟁사의 HBM팀이 SK 하이닉스로 넘어와 기술을 개발했다는 루머가 있었는데 당시 경쟁사에서 SK하이닉스 HBM 설계조직에 들어온 인력은 단 한 명도 없었다“면서 “SK하이닉스의 HBM은 지난 15년간 구성원들이 피땀 흘려 쌓은 기술력의 결실”이라고 강조했다.
박부사장은 HBM이 커스텀(Custom) 제품으로 다양해짐에 따라 앞으로 고객 및 파운드리 업계와의 협업이 더욱 중요해질 것이라며 시장에서 리더십을 지키기 위해서는 이같은 트렌드에 맞춰 끊임없이 기술개발을 해 나가야 한다고 밝혔다.
